用于高晶粒破裂强度及平滑侧壁之雷射划线及电浆蚀刻;LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH FOR HIGH DIE BREAK STRENGTH AND SMOOTH SIDEWALL

摘要

在实施例中，实施了涉及初始雷射划线及后续电浆蚀刻的混合式晶圆或基板分割制程，以进行晶粒单分。可用雷射划线制程来乾净地移除遮罩层、有机及无机介电质层和元件层。接着一旦暴露出、或部分蚀刻晶圆或基板，可终止雷射蚀刻制程。在实施例中，可利用混合式电浆蚀刻方式来分割晶圆，其中在异向性蚀刻后利用基于NF3及CF4之组合的电浆进行等向性蚀刻来改良晶粒侧壁。在晶粒单分之后，等向性蚀刻可自异向性蚀刻之晶粒侧壁移除异向性蚀刻副产物、粗糙度及/或扇形部。