用于抗反射涂层的湿式剥离制程;WET STRIP PROCESS FOR AN ANTIREFLECTIVE COATING LAYER

摘要

在基板上施加一种含矽抗反射涂层(SiARC)材料。SiARC材料包括硷聚合物，并可包括硼矽酸盐聚合物，包括半矽氧烷。使用一蚀刻程序，其包括采用硷性溶液的第一湿式蚀刻、采用酸性溶液的第二湿式蚀刻、及采用另一硷性溶液的第三湿式蚀刻。第一湿式蚀刻可用于破坏硼矽酸盐聚合物、及第二湿式蚀刻可移除硷聚合物材料、及第三湿式蚀刻可移除残余的硼矽酸盐聚合物及其他残余材料。可使用蚀刻程序自基板移除SiARC材料，并可重新使用此基板于监测用途。