| 摘要 |
スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴデバイスのエッジ終端部におけるアーク放電の発生を防止すること。一実施例では、スーパージャンクションＭＯＳＦＥＴデバイスは、基板と、前記基板の上方に位置する電荷補償領域を含むことができ、この電荷補償領域は、Ｎ型ドーパント領域内にＰ型ドーパントの複数のコラムを含むことができる。更にスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴデバイスは、前記電荷補償領域の上方に位置する終端領域を含むことができ、この終端領域は、Ｎ−型ドーパントを含むことができる。更にスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴデバイスは、エッジ終端構造を含むことができ、前記終端領域は、この前記エッジ終端構造の一部を含む。 |
