| 发明名称 |
替换性金属闸极电晶体;REPLACEMENT METAL GATE TRANSISTOR |
| 摘要 |
一种替换性金属闸极电晶体。各种范例提供一种包括沟槽、第一侧壁以及第二侧壁的替换性金属闸极电晶体。一层设置于沟槽内，其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域，以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少50%。 |
| 申请公布号 |
TW201507165 |
申请公布日期 |
2015.02.16 |
| 申请号 |
TW103120639 |
申请日期 |
2014.06.16 |
| 申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
张郢;舍曼 丝特芬 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
