| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明系一种半导体装置及其制造方法，其中，具有：在半导体基板上，各排列于第1方向(Y方向)，及正交于第1方向之第2方向(X方向)而加以配置之记忆体单元范围，和藉由虚拟图案范围而邻接于记忆体单元范围之第1方向(Y方向)之字元线接触范围，和跨越排列于第1方向(Y方向)之复数之活性范围而从记忆体单元范围延伸存在至字元线接触范围之第1字元线及第2字元线。邻接在位置于记忆体单元范围之一个活性范围内之第1字元线与第2字元线系构成字元线对。在构成字元线对之第1字元线及第2字元线之记忆体单元范围的第2方向(X方向)之间隔，系较在字元线接触范围之第2方向(X方向)的间隔为窄者。 |
| 申请公布号 |
TW201507006 |
申请公布日期 |
2015.02.16 |
| 申请号 |
TW103110889 |
申请日期 |
2014.03.24 |
| 申请人 |
ＰＳ４卢克斯科公司 |
发明人 |
吉野宏;川口悟生 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
卢森堡 |
