| 摘要 |
本发明揭示的是减少离子植入系统中之粒子污染的方法，其中离子束系经由搭配萃取电极组件来操作的离子源而生成。阴极电压施加到离子源以于其中产生离子，并且抑制电压施加到萃取组件以避免离子束中的电子被抽入离子源。选择性调变抑制电压，藉此感应出经过萃取组件的电流或电弧放电，以移除在其表面上的沉积物来缓和后续的工件污染。依据前面也揭示的是对离子植入系统的改良，其中控制器系建构成大致与工件的转移同时而将电压选择性调变在预定的电压和预定的抑制电压之间，藉此感应出经过萃取电极组件的电流或电弧放电，以移除在其表面上的沉积物来缓和后续的工件污染。 |
