发明名称 用于光储存媒体的介电溅镀靶材及介电层;DIELECTRIC SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL STORAGE MEDIA AND DIELECTRIC LAYER FOR THE SAME
摘要 本发明提供一种含有一硫化锌(ZnS)及一以三氧化二铟(In2O3)为主成分之氧化金属组成物的用于光储存媒体的介电溅镀靶材及介电层。由于该氧化金属组成物之主成分为三氧化二铟,令用于光储存媒体的介电溅镀靶材可应用于直流(direct circuit)溅镀制程,且其所制得之介电层不仅能具有适当的光学特性及热稳定性,更具有良好之耐候性,进而提升光储存媒体之记录品质及使用寿命。
申请公布号 TW201506180 申请公布日期 2015.02.16
申请号 TW102129081 申请日期 2013.08.14
申请人 光洋应用材料科技股份有限公司 发明人 黄品富;蔡登安;麦宏全;苏百樱;杨毓玲
分类号 C23C14/34(2006.01);G11B7/24(2013.01);G11B7/26(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒林景郁
主权项
地址 台南市安南区工业三路1号