发明名称 Poly[2,7-bis(2-thiophene)-9,9-dimethylxanthene], method of obtaining and application in a semiconductor material
摘要 Wynalazek dotyczy poli[2,7-bis(2-tiofeno)-9,9-dimetyloksantenu], o wzorze 1, przeznaczonego do budowy urządzeń optoelektonicznych. Przedmiotem wynalazku jest także sposób wytwarzania poli[2,7-bis(2-tiofeno)-9,9-dimetyloksantenu] o wzorze 1, który polega na tym, że w pierwszym etapie 2,7-dibromo-9,9-dimetyloksantenu poddaje się reakcji z 4,4,5,5-tetrametylo-2,1,3-dioksoborolanem w roztworze trietyloaminy (Net3) oraz dioksanu w obecności katalizatora palladowego - Pd(PPh3)4.Następnie w drugim etapie prowadzi się reakcję syntezy 2,7-bis(4,4,5,5-tetrametylo-2,1,3-dioksoborolan-2-ylo)-9,9-dimetyloksantenu z 2-bromotiofenem, przy czym reakcję prowadzi się w roztworze 2-etoksyetanolu oraz węglanu potasu w temperaturze wrzenia rozpuszczalnika w atmosferze azotu przez 24 godziny, a otrzymany produkt w postaci 2,7-bis(2-tiofeno)-9,9-dimetyloksantenu poddaje się elektropolimeryzacji. Rozwiązanie obejmuje też zastosowanie poli[2,7-bis(2-tiofeno)-9,9-dimetyloksantenu] o wzorze 1 do wytwarzania materiału półprzewodnikowego zawierającego warstwę aktywną w postaci filmu elektropolimerowego otrzymanego z poli[2,7-bis(2-tiofeno)-9,9-dimetyloksantenu] nałożonego na polikrystaliczną elektrody platynowe.
申请公布号 PL408339(A1) 申请公布日期 2015.02.16
申请号 PL20140408339 申请日期 2014.05.27
申请人 POLITECHNIKA WROC&Lstrok,AWSKA 发明人 SO&Lstrok,ODUCHO JADWIGA;OLECH KAMILA
分类号 C08G61/12;C08F234/04;C08G75/00;H01L51/00 主分类号 C08G61/12
代理机构 代理人
主权项
地址