| 发明名称 |
形成装置下互连结构的方法;METHODS OF FORMING UNDER DEVICE INTERCONNECT STRUCTURES |
| 摘要 |
本发明说明形成装置下微电子互连结构之方法。该些方法及结构可包括于第一基板中形成装置层，于第二基板中形成至少一路由层，且接着耦接该第一基板与该第二基板，其中，该第一基板黏合至该第二基板。 |
| 申请公布号 |
TW201507036 |
申请公布日期 |
2015.02.16 |
| 申请号 |
TW103109088 |
申请日期 |
2014.03.13 |
| 申请人 |
英特尔股份有限公司 |
发明人 |
摩洛 派克;尼尔森 唐;韦伯 克莱尔;全箕玟;孙一硕 |
| 分类号 |
H01L21/50(2006.01);H01L23/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
