供可变电阻式记忆体用之贵金属／非贵金属电极;NOBLE METAL/NON-NOBLE METAL ELECTRODE FOR RRAM APPLI CATIONS

摘要

一种生成非挥发性记忆体装置的方法，包含沈积一含有一掺杂含矽材料之接合层，其与一第一导电材料电性接触；形成一含有一未掺杂非晶含矽材料之切换层在该接合层的至少一部份之上；设置一包含一非贵金属材料之层在该切换层的至少一部份之上；设置一包含一贵金属材料之活性金属层在该层的至少一部份之上；以及形成一第二导电材料与该活性金属层电性接触。