形成ＣＩＧＳ膜之方法;MRTHOD OF FORMING CHALCOPYRITE THIN FILM

摘要

在一CIGS膜吸收层形成方法中，提供一第一前驱物，包括第一基底，其上形成有一主制程前驱物膜，主制程前驱物膜含有：铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)及硒(Se)至少其二。提供一第二前驱物，包括第二基底，其上形成有一元素供应前驱物膜，元素供应前驱物膜含有：铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)及硒(Se)至少其二。将前驱物定向，使主制程前驱物膜与元素供应前驱物膜彼此相向，以使元素在回火过程中于膜之间进行扩散。回火后将定向后的前驱物分离，其中CIGS膜将形成于第一基底上，而另一CIGS膜或一含有：铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)及硒(Se)至少其二之前驱物膜，仍保留于第二基底上。