相位偏移光罩母模、相位偏移光罩及相位偏移光罩母模之制造方法;PHASE SHIFT MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK BLANK

摘要

需要一种使相位偏移膜之膜厚薄膜化、不破坏OPC图案而又能满足图案精度之要求、能实现光学特性之控制性及图案缺陷检査之相位偏移光罩、及作为其原版之相位偏移光罩母模。;相位偏移光罩母模之特征在于：于透光性基板上，包含：以金属、Si及N为主要的构成要素并具有对ArF准分子雷射光之波长之透过率为9%以上且30%以下而相位差为150°以上且未达180°的光学特性之相位偏移膜，及形成于相位偏移膜上之遮光膜；上述相位偏移膜之膜厚为80nm以下；及对ArF准分子雷射光之波长之折射率(n)为2.3以上，消光系数(k)为0.28以上。