| 摘要 |
半导体制造装置用元件10系包括AlN制的静电夹盘20、冷却板30、及冷却板-夹盘接合层40。冷却板30系包括：第1至第3基板31至33；第1金属接合层34，形成于第1及第2基板31、32之间；第2金属接合层35，形成于第2及第3基板32、33之间；及冷煤通路36。第1至第3基板31至33，系由包含SiC、Ti3SiC2及TiC的致密质复合材料所形成。金属接合层34、35系藉由在第1及第2基板31、32之间与第2及第3基板32、33之间隔着Al-Si-Mg系接合材而将各基板31至33予以热压接合而形成者。 |
