发明名称 半导体记忆装置及资料读出方法
摘要 实施形态之半导体记忆装置包含:记忆胞阵列、复数个闩锁电路、及运算电路。记忆胞阵列保持经多工化为至少3个页面之资料。复数个闩锁电路于启动时读出经多工化之资料并加以保持。运算电路使用经多工化之资料进行运算。
申请公布号 TW201506935 申请公布日期 2015.02.16
申请号 TW102131691 申请日期 2013.09.03
申请人 东芝股份有限公司 发明人 原德正;常盘直哉;助川博;岩井斋;车野敏文;藤田志郎
分类号 G11C16/08(2006.01);G11C7/22(2006.01) 主分类号 G11C16/08(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本