低減されたトランジスタリーク電流のためのゲート丸め

摘要

トランジスタの実効チャネル長を増加させるために、したがってトランジスタに関連するリーク電流および静的電力消費を低減するために、ゲート丸め製造技法が実装され得る。トランジスタは、ソース領域とドレイン領域とを含む基板領域を備える。トランジスタはまた、主ゲート部分と、１つまたは複数のゲート先端と、１つまたは複数の対応するゲート丸め部分とを含むゲート領域を備えることができる。１つまたは複数のゲート先端の各々は、主ゲート部分の側部に沿った適切な位置において形成される。製造中に、主ゲート領域とゲート先端の各々との間の接合は、対応するゲート丸め領域を形成するために丸め形状をとる。ゲート丸め領域はゲート領域の平均長とトランジスタの実効チャネル長とを増加させる。