| 发明名称 |
半导体装置之制造方法;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
在纵横比大的孔的侧面形成导电层。将阻挡膜(780)及BPSG膜(790A)按顺序形成，在BPSG膜(790A)上形成圆筒蚀刻层积遮罩(850)，在圆筒蚀刻层积遮罩(850)形成既定图案的开口之后，以此为遮罩形成从BPSG膜(790A)至阻挡膜(780)在厚度方向贯通的圆筒孔(810)。其次，形成与圆筒蚀刻层积遮罩(850)之一部分的多晶矽膜(851)、BPSG膜(790A)及阻挡膜(780)的侧面相接的导电层之后，除去多晶矽膜(851)及BPSG膜(790A)。若藉由本发明，即变得仍将图案化使用的遮罩层作为导电层的侧壁使用，结果可降低纵横比。 |
| 申请公布号 |
TW201507005 |
申请公布日期 |
2015.02.16 |
| 申请号 |
TW103109666 |
申请日期 |
2014.03.14 |
| 申请人 |
ＰＳ４卢克斯科公司 |
发明人 |
香下胜美 |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
卢森堡 |
