具有奈米线与鳍式场效电晶体之积体电路装置与制造方法;METHOD OF FORMING NANOWIRE & FINFET SCHEME

摘要

一种积体电路装置之制造方法，包含提供具第一与第二金属-氧化物-半导体(metal-oxide-semiconductor；MOS)区之基材。第一与第二MOS区包含第一与第二闸极区、半导体层堆叠、源极/汲极区及隔离区。此方法包含暴露出和氧化第一半导体层堆叠以形成第一外氧化物层和第一内奈米线；移除第一外氧化物层以暴露出第一闸极区中之第一内奈米线。第一高介电常数/金属闸极(high-k/metal gate；HK/MG)堆叠包围第一内奈米线。此方法包含暴露出和氧化第二半导体层堆叠以形成第二外氧化物层和奈米线；移除此第二外氧化物层以暴露出第二闸极区中之第二内奈米线。第二HK/MG堆叠包围第二内奈米线。