半导体记忆装置

摘要

本发明提供一种可进行正常动作之半导体记忆装置。;本发明之半导体记忆装置包括：位元线，其与记忆胞连接；第1节点(SEN)，其具有对应于位元线上之电位之感测结果的电位；及第2节点(LBUS)，其传送第1节点上之电位，且与锁存器电路连接。于开始将第1节点上之电位传送至第2节点之时间点时，第1节点之电位较感测结束时间点时提高。