发明名称 |
序列式NAND快闪记忆体;SERIAL NAND FLASH MEMORY |
摘要 |
序列式NAND快闪记忆体具有封装,其选自于8-pin WSON,24-pin FBGA,8-pin SOIC以及16-pin SOIC,其中封装之至少一些脚位为一SPI介面之主动式脚位;一NAND快闪记忆体阵列,包含在封装中;分页缓冲器,包含在封装中以及耦接至NAND快闪记忆体阵列;以及控制逻辑,包含在封装中以及耦接NAND快闪记忆体阵列和分页缓冲器,以对应一读取指令提供一资料,其中资料透过分页缓冲器从NAND快闪记忆体阵列输出至SPI介面之主动式脚位之至少一脚位。 |
申请公布号 |
TW201506952 |
申请公布日期 |
2015.02.16 |
申请号 |
TW102128801 |
申请日期 |
2013.08.12 |
申请人 |
华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
吉高尔 罗宾 约翰;陈晖;欧伦 麦克 |
分类号 |
G11C8/12(2006.01);G11C5/02(2006.01);G06F12/02(2006.01) |
主分类号 |
G11C8/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
台中市大雅区科雅一路8号 |