发明名称 序列式NAND快闪记忆体;SERIAL NAND FLASH MEMORY
摘要 序列式NAND快闪记忆体具有封装,其选自于8-pin WSON,24-pin FBGA,8-pin SOIC以及16-pin SOIC,其中封装之至少一些脚位为一SPI介面之主动式脚位;一NAND快闪记忆体阵列,包含在封装中;分页缓冲器,包含在封装中以及耦接至NAND快闪记忆体阵列;以及控制逻辑,包含在封装中以及耦接NAND快闪记忆体阵列和分页缓冲器,以对应一读取指令提供一资料,其中资料透过分页缓冲器从NAND快闪记忆体阵列输出至SPI介面之主动式脚位之至少一脚位。
申请公布号 TW201506952 申请公布日期 2015.02.16
申请号 TW102128801 申请日期 2013.08.12
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 吉高尔 罗宾 约翰;陈晖;欧伦 麦克
分类号 G11C8/12(2006.01);G11C5/02(2006.01);G06F12/02(2006.01) 主分类号 G11C8/12(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文颜锦顺
主权项
地址 台中市大雅区科雅一路8号
您可能感兴趣的专利