于三维虚拟制造环境中将磊晶生长模型化之系统与方法;SYSTEM AND METHOD FOR MODELING EPITAXIAL GROWTH IN A 3-D VIRTUAL FABRICATION ENVIRONMENT

摘要

本发明描述一种针对半导体装置结构发展之虚拟制造环境，其能够使用选择性磊晶制程以虚拟地将晶体材料层之磊晶生长加以模型化。所述磊晶生长系发生于虚拟制造模型装置结构之晶质基板表面上。经由将三种主要晶面族群之生长速率模型化，则可定义在该虚拟制造装置结构之可能的三维表面方向之表面生长速率。对于沿着邻近非晶体材料之生长速率亦可被加以模型化。