发明名称 伝導冷却型高出力半導体レーザーおよびその製造方法
摘要 伝導冷却型高出力半導体レーザーおよびその製造方法である。当該伝導冷却型高出力半導体レーザーは、放熱器(2)と一または二以上の半導体レーザーユニット(1)を備える。半導体レーザーユニットはチップ(3)、チップに溶接され、放熱・導電の作用を果す基板(4)、及び基板に溶接され、絶縁・放熱の作用を果す絶縁シート(5)からなり、半導体レーザーユニットは絶縁シートを介して放熱器に溶接されている。半導体レーザーユニットに対して、事前にテスト、エージング、選別を行うことで、レーザーの歩留まりを向上させ、製造コストを節約することができる。当該レーザーは、放熱性がよく、信頼性が高く、高温などの複雑で変化の多い環境に適用する。【選択図】図4
申请公布号 JP2015505163(A) 申请公布日期 2015.02.16
申请号 JP20140547688 申请日期 2012.11.22
申请人 西安炬光科技有限公司 发明人 王 警衛;劉 興勝
分类号 H01S5/024;H01L23/36;H01L23/467;H01L23/473;H05K7/20 主分类号 H01S5/024
代理机构 代理人
主权项
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