摘要 |
Ein Verfahren zum Ankontaktieren und Umverdrahten eines in eine Leiterplatte (2) einge- betteten elektronischen Bauteils (1) ist gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: Auftragen einer ersten Permanentresistschicht (9) auf eine Kontaktseite (8) der Lei- terplatte (2), Strukturieren der ersten Permanentresistschicht (11) zum Herstellen von Freistellun- gen (10, 12) im Bereich von Kontakten (7) des elektronischen Bauteils (1), Auftragen einer zweiten Permanentresistschicht (11) auf die strukturierte erste Permanentresistschicht (9), Strukturieren der zweiten Permanentresistschicht (11) zum Freilegen der Freistellun- gen (10) im Bereich der Kontakte (7) und zum Herstellen von Freistellungen (12) entspre- chend den gewünschten Leiterzügen (15), Chemisches Beschichten der Freistellungen (10, 12) mit Kupfer, Galvanisches Auffüllen der Freistellungen (10, 12) mit Kupfer, Abtragen von Kupferüberschuss in den Bereichen zwischen den Freistellungen (10, 12). |