| 摘要 |
【課題】ＥＵＶリソグラフィプロセスを用いてマイクロエレクトロニクス構造を製造するための新規の方法、およびそれにより形成される結果の構造を提供する。【解決手段】この方法は、フォトレジスト層の直下にアシスト層を用いることを伴う。アシスト層は、基材に直接塗布されてもよく、あるいは、基材に塗布され得る任意の中間層の上に塗布されてもよい。好ましいアシスト層は、スピンコート可能なポリマー組成物から形成される。本発明の方法は、改善されたドーズ量対サイズ比を用いて低減された限界寸法を達成可能にし、一方、付着性を改善し、パターン崩壊問題を軽減または除去する。 |
