| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Regelung von parallelgeschalteten Modulen (M1, M2, MN) mit jeweils zumindest zwei seriell geschalteten, steuerbaren Halbleiterventilen ( Y11, Y12,...YN1, YN2 ), vorzugsweise IGBT-Module mit je zwei IGBTs, und mit jeweils zwei Gleichstromanschlüssen (1, 2) und einem Wechselstromanschluss (3), wobei Modulströme (I1, I2...IN) am jeweiligen Wechselstromanschluss (3) die Ströme durch die steuerbaren Halbleiterventile (Y11, Y12,...YN1, YN2) des betreffenden Moduls (M1, M2, MN) bilden, und die Summe der Modulströme (I1, I2...IN) aller Module (M1, M2, MN) einen Laststrom (IL) bildet. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass Potentiale (U1, U2,...UN) je eines Moduls (M1, M2, MN) in einem Verzweigungspunkt (4) des Wechselstromanschlusses (3) zu den steuerbaren Halbleiterventilen (Y11, Y12,...YN1, YN2) des betreffenden Moduls (M1, M2, MN) ermittelt werden und mittels Einschaltverzögerungen (Δt1,ΔtN) der steuerbaren Halbleiterventile (Y11, Y12,...YN1, YN2) die Potentiale (U1, U2,...UN) aller Module (M1, M2, MN) in den jeweiligen Verzweigungspunkten (4) im Mittel über die Schaltperiode der steuerbaren Halbleiterventile (Y11, Y12,...YN1, YN2) auf denselben Wert geregelt werden.</p> |
