| 摘要 |
<p>Leistungsvorrichtung (10), aufweisend: ein Halbleitersubstrat (12) eines ersten Leitungstyps; einen Basisbereich (16) eines zweiten Leitungstyps, welcher auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) ausgebildet ist; einen Kollektorbereich (14) des zweiten Leitungstyps, welcher auf einer hinteren Oberfläche des Halbleitersubstrats (12) aufgebracht ist; einen Emitterbereich (20) des ersten Leitungstyps, welcher auf einer Oberfläche des Basisbereichs (16) ausgebildet ist; ein Grabengate (40), welches über einen das Gate isolierenden Film (41) in einer ersten Grabenrinne (19) ausgebildet ist, die in dem Basisbereich (16) ausgebildet ist, so dass sie den Emitterbereich (20) durchdringt; eine Vertiefung (30), welche im Basisbereich (16) in der Nähe des Emitterbereichs (20) ausgebildet ist; eine Kontaktschicht (18) des zweiten Leitungstyps, welche auf einer Innenwand der Vertiefung (30) ausgebildet ist und eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als der Basisbereich (16); einen Dummygraben (42), welcher über einen den Dummygraben isolierenden Film (43) in einer zweiten Grabenrinne (49) ausgebildet ist, welche an einem Boden der Vertiefung (30) ausgebildet ist; und eine Emitterelektrode (52), welche elektrisch mit dem Emitterbereich (20), der Kontaktschicht (18) und dem Dummygraben (42) verbunden ist, wobei das Grabengate (40) und der Dummygraben (42) das Halbeitersubstrat (12) erreichen.</p> |
