アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタ作製方法

摘要

本開示は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイスを作製するためのシステム、方法および装置を提供する。一態様では、ソースエリアと、ドレインエリアと、チャネルエリアとを有する基板が設けられる。金属カチオンが、基板のソースエリアおよびドレインエリアの上にある酸化物半導体層中に注入される。金属カチオン注入は、基板のソースエリアおよびドレインエリアの上にある酸化物半導体層中に、ドープｎ型酸化物半導体を形成する。