| 摘要 |
<p>半導体製造装置用部材（１０）は、ＡｌＮ製の静電チャック（２０）と、冷却板（３０）と、冷却板−チャック接合層（４０）とを備えている。冷却板（３０）は、第１〜第３基板（３１〜３３）と、第１及び第２基板（３１，３２）の間に形成された第１金属接合層（３４）と、第２及び第３基板（３２，３３）の間に形成された第２金属接合層（３５）と、冷媒通路（３６）とを備えている。第１〜第３基板（３１〜３３）は、含有量の多いものからＳｉＣ，Ｔｉ３ＳｉＣ２及びＴｉＣをこの順に含む緻密質複合材料で形成されている。金属接合層（３４，３５）は、第１及び第２基板（３１，３２）の間と第２及び第３基板（３２，３３）の間にＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系接合材を挟んで各基板（３１〜３３）を熱圧接合することにより形成されたものである。</p> |
