发明名称 |
磁记录介质及磁存储装置 |
摘要 |
一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质,其特征在于,具有:基板;多个衬底层,其形成在所述基板上;以及磁性层,其以具有L1<sub>0</sub>结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。 |
申请公布号 |
CN104347087A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201410363017.3 |
申请日期 |
2014.07.28 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 |
分类号 |
G11B5/66(2006.01)I;G11B5/73(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
丁香兰;庞东成 |
主权项 |
一种磁记录介质,其特征在于,具有:基板;多个衬底层,其形成在所述基板上;以及磁性层,其以具有L1<sub>0</sub>结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。 |
地址 |
日本东京都 |