发明名称 光耦合器件以及制造该器件的方法
摘要 本发明公开了一种光耦合器件以及制造该器件的方法。该光耦合器件在透明基底13之上形成有耦合斑4,在两者之间夹有包层2。一个或多个波导芯1与该耦合斑接触,并在其平面内延伸。光穿过透明基底13和包层2,并进入耦合斑4,在此其被散射元件散射。至少有一部分光进入波导芯1。在耦合斑4面对透明基底13的表面上形成有第一反射镜5,其上具有供光穿过的光孔。在耦合斑4上与透明基底13相对一侧的表面上提供有背反射镜6。可以在包层2与透明基底13之间形成第二反射镜7。
申请公布号 CN104350401A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201280073242.2 申请日期 2012.05.17
申请人 日东电工株式会社 发明人 高山一也;比平塞瓦克莱姆·博拉
分类号 G02B6/26(2006.01)I;G02B6/10(2006.01)I;G02B6/00(2006.01)I 主分类号 G02B6/26(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 郑小粤
主权项 一种光耦合器件,包括:在一个平面内延伸的一个或多个波导芯;被设置在所述平面内且包含多个散射中心的耦合斑;平行于所述平面并沿所述一个或多个波导芯定位的包层;平行于所述平面并沿所述包层定位的透明基底;以及被置于所述耦合斑上的背反射镜,所述背反射镜与所述透明基底处于所述耦合斑的相对侧;其中在光穿过所述透明基底时,至少有一部分光穿过所述包层,进入所述耦合斑内,并且所述多个散射中心将至少一部分的所述光通过散射耦合到所述一个或多个波导芯内。
地址 日本大阪茨城县