| 发明名称 | 图像传感器与晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种图像传感器与晶体管制作方法。图像传感器包括像素阵列，像素阵列的一个或多个像素单元包括一个源跟随晶体管。源跟随晶体管是结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于第一导电类型衬底表面外并至少部分位于第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于第一导电类型衬底中和/或第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于第二导电类型阱与第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得第一导电类型源区与第一导电类型漏区电连接，并在其与第二导电类型阱之间以及其与第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成PN结。 | ||
| 申请公布号 | CN102709302B | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201210179855.6 | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 格科微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 赵立新;李文强;蒋珂玮 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种图像传感器，其特征在于，包括像素阵列，所述像素阵列中的一个或多个像素单元包括一个源跟随晶体管，所述源跟随晶体管是结型场效应晶体管，其包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于所述第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于所述第一导电类型衬底表面外并至少部分位于所述第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于所述第一导电类型衬底中和/或位于所述第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于所述第二导电类型阱与所述第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漏区电连接，并在其与所述第二导电类型阱之间以及其与所述第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成PN结。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11楼 | ||