PIN二极管

摘要

本发明目的在于，低价提供一种提高雪崩耐量的PIN二极管。本发明的PIN二极管具备：半导体基板(11)，其由N⁺半导体层(1)以及N^-半导体层(2)构成；P型的阳极区域(15)，其通过针对N^-半导体层(2)的外表面的选择性的杂质扩散而形成；以及阳极电极(17)，其经由阳极区域(15)内的接触区域(17c)而与阳极区域(15)导通。阳极区域(15)具有4边由直线部(B2)构成且4顶点由曲线部(B2)构成的大致矩形的外缘，在接触区域(17c)的外侧，分别形成沿着曲线部(B1)而延伸的N型的非扩散角部区域(16)。由此，如果雪崩电流从曲线部(B1)上的击穿部位迂回流入高电阻的非扩散角部区域(16)，则沿着曲线部(B1)产生电压下降，由此能够使击穿部位向直线部(B2)移动。

主权项

一种PIN二极管，其特征在于，具备：半导体基板，其由N型的第一半导体层以及杂质浓度比第一半导体层低的N型的第二半导体层构成；阴极电极，其形成在第一半导体层的外表面上；P型的阳极区域，其通过针对第二半导体层的外表面的选择性的杂质扩散而形成；以及阳极电极，其经由上述阳极区域内的接触区域而与上述阳极区域导通，上述阳极区域具有4边由直线部构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部构成的大致矩形的外缘，且在上述阳极区域内，在上述接触区域的外侧，分别形成沿着上述曲线部而延伸的N型的非扩散角部区域。