存储器的制造方法

摘要

本发明揭示了一种存储器的制造方法，包括提供一半导体衬底，其上依次形成有氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层、罩氧化层和底部抗反射涂层，所述浮栅层中具有隔离凹槽；进行第一次刻蚀和第二次刻蚀，刻蚀所述控制栅层，保留位于所述隔离凹槽中的控制栅层的部分；进行第三次刻蚀和进行第四次刻蚀；去除剩余的光刻胶、底部抗反射涂层和罩氧化层。所述存储器的制造方法，进行四次刻蚀工艺，通过在第二次刻蚀过程中，保留位于隔离凹槽中控制栅层的部分厚度，从而在后续刻蚀过程中，作为刻蚀的阻挡，从而保护了隔离凹槽下方的半导体衬底中的硅材料，减少了半导体衬底损伤，提高了存储器器件的性能。

主权项

一种存储器的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有氧化层、浮栅层、ONO层、控制栅层、罩氧化层和底部抗反射涂层，所述浮栅层中具有隔离凹槽；在所述底部抗反射涂层上形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶遮蔽待形成浮栅和控制栅的位置；进行第一次刻蚀，刻蚀所述底部抗反射涂层、罩氧化层，控制过刻蚀的范围在60％～80％之间，刻蚀部分控制栅层；进行第二次刻蚀，刻蚀所述控制栅层，以形成控制栅，所述隔离凹槽中保留部分厚度的控制栅层；进行第三次刻蚀，刻蚀所述ONO层、及所述隔离凹槽中保留部分厚度的控制栅层；进行第四次刻蚀，刻蚀所述浮栅层以及剩余的控制栅层和ONO层，以形成浮栅；去除所述图案化的光刻胶、底部抗反射涂层以及罩氧化层。