| 主权项 |
一种电晶体，包括：一掺杂层，其具有一第一掺杂型态及具有一沟槽定义于其中，该沟槽具有一底表面；一基体结构于该掺杂层上，该基体结构具有一上表面及包含一基体区，该基体区具有与该第一掺杂型态不同之一第二掺杂型态；一绝缘体，部分填满该沟槽；以及一第一导电元件，埋设于该绝缘体中并以该绝缘体来与该掺杂层及该基体结构分隔，该第一导电元件自一实质上与该基体结构之该上表面齐平之位置朝该沟槽之该底表面延伸，该第一导电元件与该掺杂层重叠而具有一重叠距离，该重叠距离为0至2μm，一第二导电元件，埋设于该绝缘体中并以该绝缘体来与该第一导电元件分隔，该第二导电元件自与该基体结构之该上表面齐平之一位置朝该沟槽之该底表面延伸，该第二导电元件具有一未与该第一导电元件重叠之一延伸部分。 |
