发明名称 发光二极体及制造发光二极体之方法
摘要
申请公布号 TWI473532 申请公布日期 2015.02.11
申请号 TW099130610 申请日期 2010.09.10
申请人 欧司朗光电半导体公司 发明人 恩伊恩 法兰克;马克那特 约翰;韦柏 拉贝司贝尔 史夫恩;柏瑞克 彼特
分类号 H05B37/02 主分类号 H05B37/02
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种发光二极体,包括:至少一个发光二极体晶片,外壳,包括用于该至少一个发光二极体晶片的载体及反射器壁,以及至少一个控制装置,其中,各该发光二极体晶片系配置在该外壳中,该至少一个控制装置系整合入该载体中或该至少一个控制装置为该载体,各该发光二极体晶片系电性连接至该至少一个控制装置之其中一个控制装置,该至少一个控制装置之各个控制装置包括资料储存装置,该资料储存装置系储存连接至该控制装置之各发光二极体晶片的亮度资料,以及该控制装置依据用于该发光二极体晶片所储存的亮度资料所选择的电流驱动该连接之发光二极体晶片。
地址 德国