发明名称 积体电路及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI473251 申请公布日期 2015.02.11
申请号 TW099116782 申请日期 2010.05.26
申请人 中国台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 廖忠志
分类号 H01L27/105;H01L29/78;H01L21/8239 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种积体电路,包括:一第一记忆体阵列,由复数个包含主动式电晶体之记忆胞及至少一虚置记忆胞组成;以及一逻辑电路,耦接该第一记忆体阵列并包含复数个主动式电晶体,其中该第一记忆体阵列中所有记忆胞之所有主动式电晶体及该逻辑电路中所有主动式电晶体系为鳍式场效电晶体(FinFET),并具有沿着一第一纵向排列之闸极电极,其中该第一记忆体阵列中所有记忆胞之所有主动式电晶体及该逻辑电路中所有主动式电晶体具有沿着一第二纵向排列之主动区,且该第二纵向实质上垂直于该第一纵向,其中该第一记忆体阵列之虚置记忆胞邻近该第一记忆体阵列中之至少一主动式电晶体,且该至少一虚置记忆胞具有一闸极电极,其沿着该第一纵向或该第二纵向排列。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号