Procedimiento de dopaje de un material semiconductor

摘要

Procedimiento de dopaje de un material semiconductor, caracterizado porque comprende las etapas siguientes: - Prever un crisol (1) que contiene una carga (4) de dicho material semiconductor, - Disponer un material dopante (6) en un recipiente sacrificial (5) cerrado, estando el recipiente sacrificial (5) formado por dicho material semiconductor, - Introducir el recipiente (5) en el crisol (1) - Fundir el contenido del crisol (1).