发明名称 |
包括载子供应的半导体阵列排列 |
摘要 |
本发明公开了一种包括载子供应的半导体阵列排列,是透过一空穴载子供应用于一存储器的薄膜晶体管基材存储装置。空穴载子供应可包括具有一第一端和一第二端的一二极管。一NAND串行由一第一末端上的一第一开关耦接于一位线,一第二末端上的一第二开关耦接于该二极管的该第一端。可个别驱动的一第一源极线和一第二源极线分别耦接于该二极管的该第一端和该第二端。耦接于第一、第二源极线的一电路是依据操作模式以不同偏压条件,包括顺向偏压条件或逆向偏压条件,对第一、第二源极线进行偏压。 |
申请公布号 |
CN104347635A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310341386.8 |
申请日期 |
2013.08.07 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
胡志玮;叶腾豪;施彦豪 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种包括载子供应的半导体阵列排列,包括:一二极管,具有一第一端和一第二端;一序列排列(series arrangement),包括多个存储单元,该序列排列由一第一末端上的一第一开关耦接于一位线,由一第二末端上的一第二开关耦接于该二极管的该第一端;一第一源极线和一第二源极线,分别连接于该二极管的该第一端和该第二端;多条字线,这些字线耦接于多个存储单元中对应的这些存储单元;以及一电路,耦接于这些字线、该第一源极线和该第二源极线,该电路是配置以在不同偏压条件下偏压该第一源极线和该第二源极线。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |