发明名称 MEMS圆片级真空封装方法及结构
摘要 本发明公开了一种MEMS圆片级真空封装方法,该方法包括以下步骤:制作芯片圆片,芯片圆片包括:基底、MEMS、位于MEMS外围的第一焊料环、形成在第一焊料环之外的电极,其中MEMS和电极通过基底表面的连接层相连;制作盖板圆片,盖板圆片的正面包括与MEMS尺寸位置相对应的凹腔、与第一焊料环尺寸位置对应的第二焊料环,盖板圆片的背面包括与最终制备器件的边缘对应的第一划片标记,和与最终制备相邻MEMS器件中间对应的第二划片标记;将芯片圆片与盖板圆片对准并键合;以及沿着第一划片标记划断盖板圆片,沿第二划片标记划断盖板圆片和芯片圆片。本方法具有密封性好、电极引出方便、工艺简便易行的优点。本发明还公开了一种MEMS圆片级真空封装结构。
申请公布号 CN104340952A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201310345369.1 申请日期 2013.08.09
申请人 比亚迪股份有限公司 发明人 姚金才;陈宇
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 张大威
主权项 一种MEMS圆片级真空封装方法,其特征在于,包括以下步骤:制作芯片圆片,其中,所述芯片圆片包括:基底、形成位于所述基底之上的MEMS、形成所述基底之上并位于所述MEMS外围的第一焊料环、形成在所述第一焊料环之外的电极,其中所述MEMS和所述电极通过位于所述基底表面的连接层相连;制作盖板圆片,其中,所述盖板圆片的正面包括:与所述MEMS尺寸位置相对应的凹腔、与所述第一焊料环尺寸位置对应的第二焊料环,所述盖板圆片的背面包括:第一划片标记和第二划片标记,所述第一划片标记与最终制备器件的边缘对应,所述第二划片标记位于所述最终制备相邻MEMS器件的之间位置;将所述芯片圆片与所述盖板圆片对准并键合,其中,所述第一焊料环与所述第二焊料环对准,所述MEMS与所述凹腔对准;以及沿着所述第一划片标记划断所述盖板圆片,沿着所述第二划片标记划断所述盖板圆片和芯片圆片。
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