一种新型GaN基单芯片白光发光二极管器件及其制作方法

摘要

本发明涉及一种新型GaN基单芯片白光发光二极管器件及其制作方法，该器件结构包括：依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、复合白光发光结构、第二种半导体载流子注入层，所述复合白光发光结构为蓝光发光区和黄光发光区复合而成。本发明还提出这种白光发光二极管器件的制作方法。本发明的单芯片发光二极管器件能高效产生白光，提高了电能转化成光能的效率，同时本发明的白光器件结构简单，制作容易，工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。

主权项

一种新型GaN基单芯片白光发光二极管器件，其中包括依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、复合白光发光结构、第二种半导体载流子注入层，所述复合白光发光结构为具有两种及两种以上除氮和镓以外的元素掺杂的黄光发光区和蓝光发光区复合而成。