分裂栅非易失性存储器单元

摘要

本发明涉及分裂栅非易失性存储器单元。一种制造半导体结构(100)的方法使用具有第一类型的本底掺杂的衬底(102)。栅极结构具有位于衬底上的栅电介质(104)和位于栅电介质上的选择栅极层(106)。将第二类型的掺杂剂注入到衬底的相邻于第一末端的第一部分。注入在将任何掺杂剂注入第一部分的本底掺杂之前，其中第一部分变为第二导电类型的第一掺杂区域。NVM栅极结构具有选择栅极(106)、具有位于第一掺杂区域上的第一部分的存储层以及位于存储层上的控制栅极(208)。以非垂直角度注入(304)第一类型的掺杂剂在选择栅极下面形成了深掺杂区域(306)。注入第二类型的掺杂剂形成源极/漏极延伸(404)。

主权项

一种使用具有第一导电类型的本底掺杂的衬底制造半导体结构的方法，包括：形成包括在所述衬底上的栅电介质以及在所述栅电介质上的选择栅极层的栅极结构，其中所述栅极层具有第一末端；利用所述第一末端作为掩模，将第二导电类型的掺杂剂注入与所述第一末端相邻的所述衬底的第一部分，其中所述注入在将任何掺杂剂注入所述本底掺杂的所述第一部分之前，并且其中所述第一部分成为所述第二导电类型的第一掺杂区域；形成非易失性存储器栅极结构，其包括所述选择栅极层的选择栅极、具有在所述第一掺杂区域之上的第一部分的存储层、以及在所述存储层之上的控制栅极，其中所述选择栅极具有作为所述第一末端的第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，其中所述存储层具有在所述选择栅极的第一侧面和所述控制栅极的第一侧面之间的第二部分；用第一导电类型的掺杂剂以非垂直角度进行注入以在基本上全部的所述选择栅极下形成深掺杂区域；以及用第二导电类型的掺杂剂进行注入以在所述衬底中基本上与所述选择栅极的所述第二侧面对准地形成源极/漏极延伸部。