| 发明名称 | 一种GaN基凹栅增强型HEMT器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的制造领域，具体涉及在GaN异质结结构上通过高温化学反应的方法选择性腐蚀势垒层形成GaN基凹栅增强HEMT器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104347700A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410410630.6 | 申请日期 | 2014.08.20 |
| 申请人 | 佛山芯光半导体有限公司 | 发明人 | 谢刚;何志 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种GaN基凹栅增强型HEMT器件，包括： 衬底(100)，在衬底(100)上依次生长GaN本征层(200)和势垒层(300)； 钝化层(400)，该钝化层(400)位于势垒层(300)上表面； 凹形栅极(510)，该凹形栅极通过选择性腐蚀形成； 源极电极(411)，该源极电极(411)位于势垒层(300)上表面部分区域； 漏极电极(412)，该漏极电极(412)位于势垒层(300)上表面部分区域； 栅极电极(510)，该栅极电极(510)凹形栅极(500)的上方。 | ||
| 地址 | 528226 广东省佛山市南海区广东新光源产业基地核心区A区7座302 | ||