| 发明名称 | 半导体晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体晶片的制造方法，包括：加热，使金属材料溶解到晶片中的半导体材料中，从而产生半导体-金属化合物；以及冷却，使所产生的半导体-金属化合物逆熔化，而形成金属半导体混合物。根据本发明的实施例，利于得到适用于半导体制造工艺的高纯度晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN102543671B | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201010591794.5 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种包括半导体材料的半导体晶片的制造方法，包括：在半导体晶片上和/或在半导体晶片中提供金属材料；加热，使金属材料溶解到晶片中靠近金属材料所在区域的化合物区中，从而产生半导体‑金属化合物；冷却，使所产生的半导体‑金属化合物逆熔化，而在所述化合物区中形成金属材料和半导体材料的混合物，且在逆熔化期间晶片中大部分杂质被吸入所述化合物区中；去除所述金属材料以及包含杂质的所述化合物区；以及去除晶片中从平衡线至晶片表面的一部分，其中所述平衡线上方的金属元素浓度大于晶片主体部分中的金属元素浓度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||