发明名称 |
显示面板制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种显示面板制作方法,其包括步骤:在基板上形成栅极及覆盖栅极的栅极绝缘层、半导体层及蚀刻阻挡层。通过对基板相对两侧的两次光刻在蚀刻阻挡层上形成光阻图案,利用光阻图案将蚀刻阻挡层干蚀刻为蚀刻阻挡图案。再次通过对基板相对侧的两次光刻在所述蚀刻阻挡图案上形成光阻图案,利用光阻图案将半导体层湿蚀刻为半导体图案。在关于栅极对称的两侧分别形成部分覆盖所述蚀刻阻挡图案、半导体图案及栅极绝缘层的源极与漏极。 |
申请公布号 |
CN104347496A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310323704.8 |
申请日期 |
2013.07.30 |
申请人 |
业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司 |
发明人 |
施博理 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 |
代理人 |
孔丽霞 |
主权项 |
一种显示面板制作方法,其包括如下步骤:提供一基板,所述基板包括第一表面及背向第一表面设置的第二表面;在所述基板的第一表面上形成沿第一方向延伸的栅极;在所述基板的第一表面上依次形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层、半导体层及蚀刻阻挡层;在蚀刻阻挡层上形成覆盖所述蚀刻阻挡层的光阻层;采用第一光罩从基板的第一表面侧将所述第一光阻层图案化为第一光阻图案;以栅极做为光罩从基板的第二表面侧将第一光阻图案再次图案化为比第一光阻图案小的第二光阻图案;采用干蚀刻法将蚀刻阻挡层蚀刻成比第二光阻图案小的蚀刻阻挡图案;去除干蚀刻后剩余的光阻图案,重新形成覆盖所述蚀刻阻挡图案及半导体层的第一光阻层;再次以第一光罩从基板的第一表面侧将所述第一光阻层图案化为第一光阻图案;以栅极做为光罩从基板的第二表面侧将第一光阻图案再次图案化为比第一光阻图案小的第二光阻图案;采用湿蚀刻法将半导体层蚀刻成与第二光阻图案对应的半导体图案;去除湿蚀刻后剩余的光阻图案;在关于栅极对称的相对两侧分别形成依次部分覆盖蚀刻阻挡层、半导体层及栅极绝缘层的源极与漏极。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元一街1号7楼之1 |