发明名称 一种深沟槽刻蚀设备及其方法
摘要 本发明提供一种深沟槽刻蚀设备及其方法,其包括提供一种遮挡盘,其中心形成圆形开口,在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸;对抗等离子体贴纸进行剪裁,使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口,抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口;将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方,使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出;对晶圆进行深槽刻蚀。本发明的方法能较好的解决静电夹盘设备深槽刻蚀工艺中晶圆表面边缘掉硅屑的问题,保证深沟槽刻蚀工艺过程中静电夹盘表面的干净;保证良好的设备状态,保证各种特殊工艺稳定开发。
申请公布号 CN104347391A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201310348149.4 申请日期 2013.08.09
申请人 无锡华润上华半导体有限公司 发明人 徐震宇;章安娜;许凌燕
分类号 H01L21/3065(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人 王爱伟
主权项 一种深沟槽刻蚀的方法,其包括:步骤一:提供一种遮挡盘,其中心形成圆形开口;步骤二:在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸;步骤三:对抗等离子体贴纸进行剪裁,使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口,抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口;步骤四:将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方,使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出;步骤五:对晶圆进行深槽刻蚀。
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