| 发明名称 | VNSAK多肽及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了VNSAK多肽及其应用。本发明提供了一种VNSAK多肽，自N端至C端依次包括抗原表位区段和内质网滞留基序区段；所述抗原表位区段包括SART3-109表位、HNRPL-501表位和NY-ESO-1表位；所述SART3-109表位如序列表的序列1自N末端第1至10位氨基酸残基所示，所述HNRPL-501表位如序列表的序列1自N末端第11至20位氨基酸残基所示，所述NY-ESO-1表位如序列表的序列1自N末端第21至29位氨基酸残基所示，所述内质网滞留基序区段如序列表的序列1自N末端第33至36位氨基酸残基所示。本发明还保护所述VNSAK多肽在制备肿瘤治疗药物中的应用。本发明对于肿瘤治疗具有重大价值。 | ||
| 申请公布号 | CN104341530A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410594788.3 | 申请日期 | 2014.10.28 |
| 申请人 | 重庆沁涟生物医药科技股份有限公司 | 发明人 | 周亮高 |
| 分类号 | C07K19/00(2006.01)I;C12N5/0784(2010.01)I;A61K39/00(2006.01)I;A61K35/15(2015.01)I;A61P35/00(2006.01)I | 主分类号 | C07K19/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅;何叶喧 |
| 主权项 | VNSAK多肽，自N端至C端依次包括抗原表位区段和内质网滞留基序区段；所述抗原表位区段包括SART3‑109表位、HNRPL‑501表位和NY‑ESO‑1表位；所述SART3‑109表位如序列表的序列1自N末端第1至10位氨基酸残基所示，所述HNRPL‑501表位如序列表的序列1自N末端第11至20位氨基酸残基所示，所述NY‑ESO‑1表位如序列表的序列1自N末端第21至29位氨基酸残基所示，所述内质网滞留基序区段如序列表的序列1自N末端第33至36位氨基酸残基所示。 | ||
| 地址 | 400015 重庆市渝中区重庆村55号2单元21-2#-1 | ||