| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置具备：n型第一SiC外延层；p型第二SiC外延层，其设置在第一SiC外延层上，并含有p型杂质和n型杂质，在将p型杂质设定为元素A、将n型杂质设定为元素D的情况下，元素A和元素D的组合为Al(铝)、Ga(镓)或者In(铟)与N(氮)的组合、B(硼)与P(磷)的组合中的至少一个组合，构成组合的元素D的浓度相对于元素A的浓度之比大于0.33且小于1.0；表面区域，其设置在第二SiC外延层的表面，且相对于第二SiC外延层，元素A的浓度低、上述比大；n型第一SiC区域以及第二SiC区域；栅绝缘膜；栅电极；第一电极；以及与第一电极相反的一侧的第二电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104347718A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410374038.5 | 申请日期 | 2014.07.31 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 西尾让司;清水达雄;饭岛良介;太田千春;四户孝 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张楠;陈建全 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：n型第一SiC外延层；p型第二SiC外延层，其设置在所述第一SiC外延层上，并含有p型杂质和n型杂质，在将所述p型杂质设定为元素A、将所述n型杂质设定为元素D的情况下，所述元素A与所述元素D的组合为Al(铝)、Ga(镓)或In(铟)与N(氮)的组合、B(硼)与P(磷)的组合中的至少一个组合，构成所述组合的所述元素D的浓度相对于所述元素A的浓度之比大于0.33且小于1.0；表面区域，其设置在所述第二SiC外延层表面，且所述元素A的浓度低于所述第二SiC外延层，构成所述组合的所述元素D的浓度相对于所述元素A的浓度之比大于所述p型第二SiC外延层；n型第一SiC区域，其设置在所述第二SiC外延层的表面，且深度大于等于所述第二SiC外延层的厚度；n型第二SiC区域，其在所述第二SiC外延层的表面上与所述n型第一SiC区域分离地设置，且深度小于所述第二SiC外延层的厚度；栅绝缘膜，其设置在所述表面区域上；栅电极，其设置在所述栅绝缘膜上；第一电极，其设置在所述第二SiC区域上；以及第二电极，其设置在所述第一SiC外延层的与所述第一电极相反的一侧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||