一种鳍式场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制造方法，在回刻蚀介质层以形成鳍部之间的浅沟槽隔离结构之前，先形成盖层，相当于增加浅沟槽填充物的宽度，来改善浅沟槽填充物的形貌，降低回刻蚀窗口的深宽比，从而改善回刻蚀后浅沟槽隔离结构表面的平坦度，最终提高鳍式场效应晶体管的器件性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；选择性蚀刻所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以形成鳍部，所述鳍部两侧形成有浅沟槽而上表面仍然覆盖所述硬掩膜层；在所述浅沟槽中填充介质层，所述介质层的上表面与所述硬掩膜上表面平坦一致；去除所述硬掩膜层，并在所述介质层和暴露出的鳍部表面形成盖层；采用回刻蚀工艺完全去除盖层并部分去除所述介质层，至所述鳍部上表面距离所述介质层上表面的预定高度。