| 发明名称 | 一种在GaN衬底上同质外延生长的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到10<sup>6</sup>/cm<sup>2</sup>以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN104347356A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410455805.5 | 申请日期 | 2014.09.09 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 杨志坚;秦志新;于彤军;吴洁君;胡晓东;康香宁;王新强;许福军;沈波;张国义 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，包括以下步骤：(1)测量GaN衬底表面曲率半径；(2)对GaN衬底进行研磨抛光；(3)在上述衬底上淀积一层二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；(4)在步骤(3)得到的衬底表面形成同心掩膜环；(5)用步骤(4)所得衬底进行外延生长，获得GaN外延层。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||