有配置为维持ISFET管芯压电电阻的基底或结合层的pH传感器

摘要

本发明公开了有配置为维持ISFET管芯压电电阻的基底或结合层的pH传感器。这里描述的实施例提供了配置用于在压力和温度范围上使用的pH传感器。pH传感器的ISFET管芯用结合层结合到pH传感器的基底，结合层设置在基底和ISFET管芯之间。跨压力和温度范围的压力和温度改变在pH传感器内生成环境力。此外，基底或结合层或二者在压力和温度范围上改变体积，并且基底或结合层或二者被配置使得体积改变引起抵消力，所述抵消力与环境力的至少一部分对立。抵消力被配置为在压力和温度范围上将ISFET管芯从漏极到源极的压电电阻的改变维持为小于0.5％。

主权项

一种配置用于在压力和温度范围上使用的pH传感器(2)，所述pH传感器包括：基底(70)；离子敏感场效应晶体管(ISFET)管芯(10)，其包括响应pH的离子感测部分(12)，其中ISFET管芯结合到基底，其中ISFET管芯的离子感测部分被配置为暴露于介质，并且其中离子感测部分输出与介质的pH水平相关的信号；结合层(20)，其设置在基底和ISFET管芯之间，结合层结合到基底和ISFET管芯，并且其中结合层包括第一成分的结合剂材料；其中跨压力和温度范围的压力和温度改变在pH传感器内生成环境力；并且其中结合层或基底中的至少一个在压力和温度范围上改变体积，其中结合层或基底中的至少一个被配置使得体积改变引起抵消力，所述抵消力与环境力的至少一部分对立，并且其中抵消力被配置为在压力和温度范围上将ISFET管芯从漏极到源极的压电电阻的改变维持为小于0.5％。