去除接触窗底部自然氧化层的方法

摘要

本发明提供一种去除接触窗底部自然氧化层的方法，至少包括以下步骤：提供一Si衬底，所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极；然后形成二氧化硅层间介质层，并在所述具有侧壁层的栅极两侧的源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗；采用Ar等离子体去除所述接触窗底部的部分自然氧化层，接着采用SiCoNi法去除所述接触窗底部剩余的自然氧化层。本发明采用Ar等离子与SiCoNi法相结合对接触窗底部的自然氧化层进行处理，处理时间都较短，不会对衬底形成损伤，且降低了接触窗侧壁的氧化物损失，同时有效去除了接触窗底部的自然氧化层，为下一步金属硅化物的形成提供了良好的铺垫，有利于形成均匀、接触性能良好的金属硅化物，提高了产品的合格率。

主权项

一种去除接触窗底部自然氧化层的方法，其特征在于，所述去除接触窗底部自然氧化层的方法至少包括以下步骤：1）提供一Si衬底，所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极，所述具有侧壁层的栅极两侧的Si衬底中分别形成有源极和漏极；2）在步骤1）获得的结构上形成二氧化硅层间介质层，并在所述源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗，所述接触窗底部到达所述源极和漏极上表面，使得所述源极和漏极上表面暴露于空气中，从而在所述源极和漏极上表面形成自然氧化层；3）采用Ar等离子体去除所述接触窗底部暴露的源极和漏极上表面的部分自然氧化层；4）采用SiCoNi法去除所述接触窗底部暴露的源极和漏极上表面剩余的自然氧化层。